[ 타임즈 - 김시창 기자 ] SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주/용인/미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

 

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

 

간담회는 곽 사장의 오프닝(Opening) 발표를 시작으로 김주선 사장의 ‘AI 메모리 비전‘, 최우진 부사장의 ‘SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진’, 김영식 부사장의 ‘청주 M15x 및 용인 클러스터 투자’ 등 3개 발표 세션과 기자들과의 Q&A로 진행됐다.

 

다음은 경영진 주요 발표 내용.

 

 

<오프닝 / 곽노정 사장>

 

-      간담회를 통해 AI 시대를 맞아 SK하이닉스의 원대한 꿈과 경쟁력, 그리고 비전 달성을 위한 전략을 말씀 드리겠음

 

-      현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On-Device AI로 빠르게 확산될 전망

 

-      이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속/고용량/저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것임

 

-      당사는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보함

 

-      앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것

 

-      현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃되었음

 

-      HBM 기술 측면에서 보면, 당사는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중

 

-      앞으로 당사는 내실 있는 ‘질적 성장’을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 ‘수익성’을 지속적으로 높여 나가는 한편,

 

-      변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 Cash 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획

 

-      ‘AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업’으로 성장, 국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠음

 

 

<AI Memory Vision / 김주선 사장(AI Infra 담당)>

 

-      AI 시대에 들어서, 전세계에서 생산되는 데이터 총량은 2014년 15ZB(Zettabyte, 제타바이트)*에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것으로 전망됨

 

* 제타바이트(Zettabyte): 제타는 10의 21승을 뜻함. 킬로바이트(KB)<메가바이트(MB)<기가바이트(GB)<테라바이트(TB)<페타바이트(PB)<엑사바이트(EB)<제타바이트(ZB) 순으로 단위가 점점 커지며, 단위가 바뀔 때마다 데이터의 크기가 1,000배씩 증가함(예시: 1ZB = 10억TB)

 

-      이에 따라 AI 시대 반도체 산업은 구조부터 바뀌는 패러다임 전환(Paradigm shift)을 맞이하게 돼 업에 대한 새로운 접근이 필요함

 

-      ‘AI 시대 차별적 가치는 누가 제공할 수 있는가’에 대해 생각해 볼 필요가 있으며, 그 답은 매우 명확하게 메모리임

 

-      AI 시대는 데이터 중심(Data centric) 시대를 뜻하며, 이 데이터를 저장, 축적, 재생산하는 선순환 고리의 중심에 메모리가 있기 때문임

 

-      AI 메모리의 매출 비중도 급격히 늘어날 것임. 2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이 2028년엔 61%에 달할 것으로 전망됨

 

-      SK하이닉스는 다양한 AI 응용처에서 기술 리더십을 확보함

 

-      D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화함

 

-      낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있음

 

-      이에 그치지 않고 회사는 기존 제품을 더욱 개선, 발전시킨 차세대 제품도 개발하고 있음

 

-      HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션*, PIM(Processing-In-Memory)* 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있음

 

* CXL 풀드 메모리 솔루션: 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 구성하고, 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 해주는 솔루션

 

* PIM: 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술

 

-      아울러 당사는 글로벌 탑티어(Top-tier) 시스템반도체, 파운드리 등 파트너들과 원팀(One team) 협업해 최고의 제품을 적시 개발, 공급하겠음

 

 

<SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진 / 최우진 부사장(P&T 담당)>

 

-      우선, SK하이닉스의 패키징 기술력에 대해 말씀 드리겠음. 당사가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술임

 

-      MR-MUF 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않으며, 우리는 Adv. MR-MUF기술로 이미 HBM3 12Hi 제품을 양산하고 있음

 

-      MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킴

 

-      아울러 당사가 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선함

 

-      결과적으로 어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어(Warpage control)에도 탁월한 고온/저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중임

 

-      회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있음

 

-      다음으로 미국 투자에 대해 말씀 드리겠음. 당사는 지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했음

 

-      인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정임

 

-      인디애나는 미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드(Silicon Heartland)의 주요 거점임

 

-      SK하이닉스는 이 지역에서 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고, AI 미래 산업에도 기여하겠음

 

 

<청주 M15x 및 용인 클러스터 투자 / 김영식 부사장(제조기술 담당)>

 

l  M15x 투자 배경 및 계획

 

-      당사는 급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 함

 

-      M15x는 연면적 6만 3,000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며, TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있음

 

-      당사는 지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획임

 

 

l  용인 클러스터

 

-      용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 회사 팹 56만 평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성됨

 

-      SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것임

 

-      클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중

 

-      용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정임

 

-      아울러, 클러스터에는 미니팹도 건설할 예정임. 그간 국내 소부장 업체는 좋은 기술 아이디어가 있어도 실제 양산 환경에 맞춘 테스트를 할 수 있는 기회가 부족해 신기술 개발과 경쟁력 확보에 어려움이 많았음

 

-      미니팹에서 소부장 업체는 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있으며, 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 제공받게 됨

 

-      약 9,000억 원이 투자되는 미니팹 프로젝트에는 SK하이닉스가 반도체 클린룸(Clean room)과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원하기로 함

 

-      SK하이닉스는 용인 클러스터를 통해 국내 반도체 생태계를 강화하고 우리나라 반도체 주도권을 더욱 공고히 하겠음.